1. Strona główna/
  2. Lista autorów/
  3. Wiśniowski Piotr/
  4. Habilitacja

Wiśniowski Piotr, dr hab. inż., prof. AGH

WIEiT-ke Instytut Elektroniki

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne
100
0
pwis@agh.edu.pl
Habilitacja
Elementy spintroniczne z barierą MgO i elektrodami CoFeB dla zastosowań w wysokoczułych sensorach pola magnetycznego
Wydział:
AGH Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
Data uchwały Rady Wydziału:
18.02.2016
Stopień naukowy:
dr hab. nauk technicznych
Dyscyplina:
elektronika
Słowa kluczowe:
sensory wysokoczułe; pole magnetyczne; elementy spintroniczne
Uwagi:
Pracę habilitacyjną stanowi cykl 10 publikacji: [1] Wiśniowski P., [et al.] (2008).Effect of free layer thickness and shape anisotropy on the transfer curves of MgO magnetic tunnel junctions. Journalof Applied Physics, vol. 103, art. no. 07A910-3 ; [2] Wiśniowski P., Almeida J.M., Freitas P.P. (2008). 1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions. IEEE Transaction on Magnetics vol. 44, no. 11, s. 2551-2553 ; [3] Almeida J.M., Wiśniowski P., Freitas P.P. (2008). Low Frequency Noise in MgO Magnetic Tunnel Junctions :Hooge's Parameter Dependence on Bias Voltage. IEEE Transaction on Magnetics, vol. 44, no. 11, s. 2569-2572 ; [4] Almeida J.M., Wiśniowski P., Freitas P.P. (2008). Field Detection in Single and Double Barrier MgO Magnetic Tunnel Junction Sensors. Journal of Applied Physics vol. 103, art. no. 07E922-3 ; [5] P.Wiśniowski P., [et al.] (2012). Magnetic field sensing properties of CoFeB-MgO-CoFeB based tunneling magnetoresistance devices. Procedia Engineering vol. 47, s. 1414-1417 ; [6] Wiśniowski P., [et al.] (2012). Magnetic tunnel junctions based on out-of-plane anisotropy free and in-plane pinned layer structures for magnetic field sensors. IEEE Transactionon Magnetics, vol. 48, no. 11, s. 3840-3842 ; [7] Skowroński W., [et al.] (2012). Magnetic field sensor with voltage tunable sensing properties. Applied Physics Letters, vol. 101, art. no. 192401-3 ; [8] Wiśniowski P., [et al.] (2013). Magnetic field sensing characteristics of MgO based tunneling magnetoresistance devices with Co40Fe40B20andCo60Fe20B20 electrodes. Sensors and Actuators A, vol. 202, s. 64-68 ; [9] Wiśniowski P., [et al.] (2014). Reduction of low frequency magnetic noise by voltage-induced magnetic anisotropy modulation in tunneling magnetoresistance sensors. Applied Physics Letters vol. 105, art. no.082404-4 ; [10] Wiśniowski P., [et al.] (2015). Field noise in tunneling magnetoresistance sensors with different sensitivity. Applied Physics Letters, vol. 106, s. 052404-4.