- Strona główna/
- Lista autorów/
- Wiśniowski Piotr/
- Habilitacja
Wiśniowski Piotr, dr hab. inż., prof. AGH
WIEiT-ke Instytut Elektroniki
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne
pwis@agh.edu.pl100
0
- Habilitacja
- Elementy spintroniczne z barierą MgO i elektrodami CoFeB dla zastosowań w wysokoczułych sensorach pola magnetycznego
- Wydział:
- AGH Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
- Data uchwały Rady Wydziału:
- 18.02.2016
- Stopień naukowy:
- dr hab. nauk technicznych
- Dyscyplina:
- elektronika
- Lista publikacji:
- - Effect of free layer thickness and shape anisotropy on the transfer curves of MgO magnetic tunnel junctions- 1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions- Low-frequency noise in MgO magnetic tunnel junctions: Hooge's parameter dependence on bias voltage- Field detection in single and double barrier MgO magnetic tunnel junction sensors- Magnetic field sensing properties of ${CoFeB-MgO-CoFeB}$ based tunneling magnetoresistance devices- Magnetic tunnel junctions based on out-of-plane anisotropy free and in-plane pinned layer structures for magnetic field sensors- Magnetic field sensor with voltage-tunable sensing properties- Magnetic field sensing characteristics of MgO based tunneling magnetoresistance devices with $Co_{40}Fe_{40}B_{20}$ and $Co_{60}Fe_{20}B_{20}$ electrodes- Reduction of low frequency magnetic noise by voltage-induced magnetic anisotropy modulation in tunneling magnetoresistance sensors- Field noise in tunneling magnetoresistance sensors with variable sensitivity
- Słowa kluczowe:
- sensory wysokoczułe; pole magnetyczne; elementy spintroniczne
- Uwagi:
- Rozprawę habilitacyjną stanowi cykl 10 publikacji.