Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Magnetic field sensor with voltage-tunable sensing properties / Witold SKOWROŃSKI, Piotr WIŚNIOWSKI, Tomasz STOBIECKI, Susana Cardoso, Paulo P. Freitas, Sebastiaan van Dijken // Applied Physics Letters ; ISSN 0003-6951. — 2012 — vol. 101 iss. 19, s. 192401-1–192401-3. — Bibliogr. s. 192401-3, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2012-11-05
Autorzy (6)
- AGHSkowroński Witold
- AGHWiśniowski Piotr
- AGHStobiecki Tomasz
- Cardoso Susana
- Freitas Paulo P.
- van Dijken Sebastiaan
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 70582 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2013-01-17 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1063/1.4765350 |
| Rok publikacji | 2012 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Applied Physics Letters |
Abstract
We report on a magnetic field sensor based on CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. By taking advantage of the perpendicular magnetic anisotropy of the MgO/CoFeB interface, the magnetization of the sensing layer is tilted out-of-plane which results in a linear magnetoresistance response to in-plane magnetic fields. The application of a bias voltage across the MgO tunnel barrier of the sensor affects the magnetic anisotropy and thereby its sensing properties. We propose a voltage-tunable magnetic field sensor design that allows for active control of the sensitivity and the operating field range by the strength and polarity of the applied bias voltage.
