Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Warstwy $Mg_{2}Si$ nanoszone metodą impulsowego rozpylania magnetronowego — $Mg_{2}Si$ layers deposited by pulsed magnetron sputtering / Krzysztof MARS, Elżbieta GODLEWSKA, Mateusz Augustyniak, Marzena MITORAJ // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2015 — R. 56 nr 2, s. 108–110. — Bibliogr. s. 110, Streszcz., Summ. — Afiliacja autorów: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, Kraków

Autorzy (4)

Słowa kluczowe

EN: pulsed magnetron sputteringmagnesium silicide
PL: krzemek magnezuimpulsowe rozpylanie magnetronowe

Dane bibliometryczne

ID BaDAP88382
Data dodania do BaDAP2015-03-19
DOI10.15199/13.2015.2.25
Rok publikacji2015
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaElektronika : Konstrukcje, Technologie, Zastosowania

Abstract

The objective of this study was to deposit stoichiometric layers of magnesium silicide (Mg2Si) by pulsed magnetron sputtering. Magnesium silicide powder obtained by Self-Propagating High-Temperature Synthesis was hot pressed (HP) and the obtained dense sinter was suitable for the production targets. Mg2Si layers were deposited in a vacuum chamber (NP – 501A TEPRO Koszalin) equipped with one magnetron with a planar target, 50 mm in diameter. A pulsed power supply, Dora Power System, was used in the sputtering process. The power supply was generating sinusoidal pulses with a frequency of 80 kHz and group modulation of 2.5 kHz. Because of the type of the power supply, the method is referred to as Pulsed Magnetron Sputtering. The obtained layers were characterised by X-ray diffraction (GID), scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectrometry (EDS).

Streszczenie

Celem niniejszej pracy było otrzymanie warstw krzemku magnezu (Mg2Si) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. W pierwszym etapie opracowywanej technologii otrzymano proszek krzemku magnezu poprzez zastosowanie samorozwijającej się syntezy wysokotemperaturowej SHS (ang. Self-Propagating High-Temperature Synthesis). Z uzyskanego proszku, metodą spiekania na gorąco zostały wytworzone gęste spieki przydatne do produkcji targetów. Syntezę warstw Mg2Si prowadzono w aparaturze próżniowej NP - 501A produkcji TEPRO Koszalin. W cylindrycznej komorze próżniowej zainstalowano planarną wyrzutnię magnetronową współpracującą z zasilaczem Dora Power System (DPS). Zasilacz DPS przystosowany jest do zasilania urządzeń rozpylających, generując impulsy z częstotliwością 80 kHz, co pozwala określić stosowaną technikę magnetronową jako impulsową (ang. Pulsed Magnetron Sputtering). Otrzymane warstwy analizowano pod kątem składu chemicznego, fazowego i struktury przy użyciu niskokątowej dyfraktometrii rentgenowskiej (ang. Grazing Incidence Diffraction – GID), oraz mikroskopii skaningowej.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#85876Data dodania: 27.11.2014
Proces rozpylania techniką magnetronową w atmosferze dwóch gazów reaktywnych — Process of magnetron sputtering an atmosphere with two reactive gasses / Andrzej BRUDNIK, Katarzyna ZAKRZEWSKA // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2014 — R. 55 nr 10, s. 34–36. — Bibliogr. s. 36, Streszcz., Summ. — TJ&nanoIP 2014 : XIII ogólnopolskie seminarium Techniki Jonowe połączone z  III zimową szkołą Nanoinżynieria Powierzchni : 5–8 marca 2014, Szklarska Poręba
artykuł
#15910Data dodania: 23.3.2004
Metody sterowania procesami reaktywnego jonowego rozpylania — Process control methods for reactive ion sputtering / Edward LEJA, Andrzej Stec // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2003 — R. 44 nr 11, s. 12–15. — Bibliogr. s. 15, Streszcz., Summ. — TJ 2003 : VIII ogólnopolskie seminarium Techniki Jonowe : Szklarska Poręba 12–14.03.2003 r.