Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Development of pixel detector in novel sub-micron technology SOI CMOS 200 nm / Szymon Bugiel, Roma Dasgupta, Sebastian GŁĄB, Marek IDZIK, Piotr Kapusta // W: MIXDES 2014 [Dokument elektroniczny] : mixed design of integrated circuits and systems : Lublin, Poland June 19–21, 2014 : proceedings of the 21st international conference / ed. Andrzej Napieralski. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — Łódź : Lodz University of Technology. Department of Microelectronics and Computer Science, cop. 2014. — 1 dysk optyczny. — na s. red. dod. ISBN 978-83-63578-04-6. — e-ISBN: 978-83-63578-03-9. — S. 205–208. — Wymagania systemowe: Adobe Reader ; napęd CD-ROM. — Bibliogr. s. 208, Abstr.
Autorzy (5)
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 82881 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2014-08-26 |
| DOI | 10.1109/MIXDES.2014.6872186 |
| Rok publikacji | 2014 |
| Typ publikacji | materiały konferencyjne (aut.) |
| Otwarty dostęp | |
| Konferencja | International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems" 2014 |
Abstract
This paper presents the design of a new monolithic Silicon-On-Insulator pixel sensor in 200 nm SOI CMOS technology. The main application of the proposed pixel detector is the spectroscopy, but it can also be used for the minimum ionising particle (MIP) tracking in particle physics experiments. For this reason the overriding goal of the project was to increase the signal to noise ratio of the readout circuit and sensor.