Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
The AlMg thin films deposited by using PLD technique — Cienkie warstwy AlMg osadzane techniką PLD / Agnieszka RADZISZEWSKA, Sławomir KĄC, Małgorzata Kąc // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2007 — R. 28 nr 3–4, s. 720–723. — Bibliogr. s. 723, Abstr. — AMT 2007 : Advanced Materials & Technologies : XVIII physical metallurgy and materials science conference : 18–21 June 2007, Warsaw, Poland. — Warszawa : Wydawnictwo Czasopism i Książek Technicznych SIGMA-NOT, 2007
Autorzy (3)
- AGHRadziszewska Agnieszka
- AGHKąc Sławomir
- Kąc Małgorzata
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 33885 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2007-08-14 |
| Rok publikacji | 2007 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | IM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering |
Streszczenie
W artykule zostały przeprowadzone systematyczne studia na temat nakładania cienkich warstw P-Mg2Al3 techniką PLD. Cienkie warstwy AlMg były nakładane, na płytki krzemowe (100), za pomocą lasera Nd:YAG ((A. = 355 nm). Próbki wykonano stosując dwie różne gęstości energii promieniowania laserowego(4,7 i 10 J/cm2) oraz różną temperaturę podłoża (Si) (20 °C i 430 °C). Czas nakładania warstw wynosił 30 min. Przedyskutowano zmiany struktury, składu chemicznego oraz chropowatości powierzchni cienkich warstw. Badania strukturalne i składu chemicznego pokazują że warstwy głównie posiadają nanokrystaliczną strukturę oraz zmiany zawartości Al i Mg na przekroju warstwy. Zastosowanie różnych gęstości energii promieniowania laserowego oraz różnej temperatury podłoża powoduje modyfikację topografii powierzchni uzyskanych warstw.
Abstract
In the paper the systematic study of the pulsed laser deposition of P-Mg2Al3 has been carried out. The AlMg thin films were prepared on Si (100) substrates and deposited by using a Nd:YAG laser (k = 355 nm). The samples were performed with two different laser beam energy densities (4,7 and 10 J/cm2) and two different substrate (Si) temperatures (room temperature and 430 °C). The deposition time was kept at 30 min. The variation of structure, chemical composition and surface roughness of the deposited thin films is discussed. Structure and chemical composition investigation showed that the films possess generally nanocrystalline structure and that the quantity of Al and Mg changes along the film depth. The surface topography of films was varied as result of changing of the fluence value and the substrate temperature.
