Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Influence of the deviation from stoichiometry on transport properties of titanium oxides thin films / K. Kulinowski, M. RADECKA, B. J. SPISAK // Journal of Physical Chemistry. C ; ISSN 1932-7447. — 2025 — vol. 129 iss. 1, s. 754−763. — Bibliogr. s. 762-763, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2024-12-18

Autorzy (3)

Dane bibliometryczne

ID BaDAP157609
Data dodania do BaDAP2025-02-06
Tekst źródłowyURL
DOI10.1021/acs.jpcc.4c06735
Rok publikacji2025
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Creative Commons
Czasopismo/seriaJournal of Physical Chemistry, C

Abstract

This study examines the impact of structural defects, resulting from oxygen vacancies, on the electrical conductivity of thin films of nonstoichiometric titanium oxides across a temperature range of 20 to 290 K. It is demonstrated that vacancies significantly influence the transport properties of such systems, as they markedly alter their electronic properties. The characteristic temperatures and densities of states as a function of the deviation from stoichiometry are estimated based on the variable range models of Mott and Efros–Shklovskii. The temperature dependence of electrical conductivity reveals a crossover regime between the Mott and Efros–Shklovskii regimes. The comprehensive explanation of this result is based on the proposed electrical conductivity interpolation formula, in which the pre-exponential factors depend both on the deviation from stoichiometry and on the exponential dependence of temperature derived by Mansfield. Finally, diagrams are proposed to enable the verification of the obtained results with respect to the microscopic parameters of thin films of the nonstoichiometric titanium oxides.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#156624Data dodania: 18.12.2024
Influence of $Sn_{Bi}$ antisite defects on the electronic band structure and transport properties of the layered chalcogenide semiconductor $SnBi_{2}Te_{4}$ / Ilayda Terzi, Kacper PRYGA, Bartłomiej WIENDLOCHA, Petr Levinský, Soufiane El Oualid, Sylvie Migot, Jaafar Ghanbaja, Christine Gendarme, Thierry Schweitzer, Bernard Malaman, Gérard Le Caër, Bertrand Lenoir, Christophe Candolfi // Journal of Physical Chemistry. C ; ISSN 1932-7447. — 2024 — vol. 128 iss. 44, s. 18976–18992. — Bibliogr. s. 18990–18992, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2024-10-25
artykuł
#95975Data dodania: 11.2.2016
Electrochemically deposited nanocrystalline InSb thin films and their electrical properties / K. E. HNIDA, S. Bassler, J. MECH, K. SZACIŁOWSKI, R. P. Socha, M. GAJEWSKA, K. Nielsch, M. PRZYBYLSKI, G. D. Sulka // Journal of Materials Chemistry . C ; ISSN  2050-7526. — 2016 — vol. 4 iss. 6, s. 1345–1350. — Bibliogr. s. 1349–1350. — Publikacja dostępna online od: 2016-01-13. — M. Przybylski - dod. afiliacja: ACMiN