Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Próżniowa selenizacja warstw $Cu-In-Se$ do zastosowań fotowoltaicznych — [Selenization vacuum of $Cu-In-Se$ layers for photovoltaic purposes] / H. JANKOWSKI, T. PISARKIEWICZ, C. WOREK, M. Warzecha, J. Budzioch, Zb. Pindel // Prace Naukowe / Politechnika Warszawska. Elektronika ; ISSN 0137-2343. — 2002 — z. 143, s. 143–147. — Bibliogr. s. 147, Summ. — Techniki próżni i technologie próżniowe : wybrane materiały VI [szóstej] krajowej konferencji techniki próżni i VII [siódmego] polsko-białoruskiego sympozjum technologii próżniowych / PW. — Warszawa : Oficyna Wydawnicza PW, 2002
Autorzy (6)
- AGHJankowski Henryk
- AGHPisarkiewicz Tadeusz
- AGHWorek Cezary
- Warzecha M.
- Budzioch Janusz
- Pindel Z.
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 13247 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2003-05-19 |
| Rok publikacji | 2002 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektronika |
Abstract
The films of CuInSe2 (CIS) were prepared by selenization of Cu/In multilayer precursors grown by magnetron sputtering. The layers were selenized "in vacuo" using a graphite box with elemental selenium at temperature of 500 st.C. To contain the graphite box the quartz tube furnace was built. The SPICE temperature model of the object was proposed to perform temperature control requirements. Selenization was realised using a two step reaction profile (250 st.C and 550 st.C). The CuInSe2 film formation was observed using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray technique.
