Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Electrically controlled spin-transistor operation in a helical magnetic field / P. WÓJCIK, J. ADAMOWSKI // Semiconductor Science and Technology ; ISSN 0268-1242. — 2016 — vol. 31 no. 3 art. no. 035021, s. 1–6. — Bibliogr. s. 5–6, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2016-02-18


Autorzy (2)


Słowa kluczowe

helical magnetic fieldspin-orbit interactionspin transistor

Dane bibliometryczne

ID BaDAP97070
Data dodania do BaDAP2016-04-20
Tekst źródłowyURL
DOI10.1088/0268-1242/31/3/035021
Rok publikacji2016
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaSemiconductor Science and Technology

Abstract

A proposal of an electrically controlled spin transistor in a helical magnetic field is presented. In the proposed device, the transistor action is driven by the Landau–Zener transitions that lead to a backscattering of spin polarized electrons and switching the transistor into the high-resistance state (off state). The on/off state of the transistor can be controlled by the all-electric means using Rashba spin–orbit coupling that can be tuned by the voltages applied to the side electrodes.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
Resonant Landau-Zener transitions in a helical magnetic field / P. WÓJCIK, J. ADAMOWSKI, M. WOŁOSZYN, B. J. SPISAK // Semiconductor Science and Technology ; ISSN 0268-1242. — 2015 — vol. 30 no. 6, s. 065007-1–065007-6. — Bibliogr. s. 065007-6, Abstr.
artykuł
Effect of inter- and intra-subband spin-orbit interactions on the operation of a spin transistor with a double quantum well structure / P. WÓJCIK, J. ADAMOWSKI // Semiconductor Science and Technology ; ISSN 0268-1242. — 2016 — vol. 31 no. 11 art. no. 115012, s. 1–12. — Bibliogr. s. 12, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2016-10-10