Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Automatyczny pomiar pojemności złączowej półprzewodnikowego złącza p-n — Automatic measuring system for junction capacitance of semiconductor p-n junction / Ireneusz BRZOZOWSKI, Szymon Wawszczak, Piotr BRATEK, Andrzej KOS // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2012 — R. 53 nr 11, s. 97–101. — Bibliogr. s. 101, Streszcz., Summ.

Autorzy (4)

Dane bibliometryczne

ID BaDAP71085
Data dodania do BaDAP2013-02-05
Rok publikacji2012
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaElektronika : Konstrukcje, Technologie, Zastosowania

Abstract

The paper presents automatic measuring system allowing to measure of junction capacitance of semiconductor p-n junction. The system was build based on standard laboratory equipment supplemented with dedicated measuring generator, which design and realization was described. For the system configuration, controlling of measurements and data acquisition and saving special application in LabVIEW environment was made.

Streszczenie

W artykule przedstawiono automatyczne stanowisko pomiarowe pozwalające na pomiary pojemności złączowej półprzewodnikowych złącz p-n. System pomiarowy został zbudowany w oparciu o standardowe przyrządy laboratoryjne uzupełnione o dedykowany generator pomiarowy, którego projekt i realizacja została opisana. W celu konfiguracji systemu, sterowania pomiarami i archiwizacji danych napisano specjalną aplikację w środowisku LabVIEW.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#53242Data dodania: 16.9.2010
Precyzyjna stabilizacja długości fali lasera półprzewodnikowego — Precise wavelength stabilization of the semiconductor laser / Łukasz BUCZEK // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2010 — R. 51 nr 8, s. 155–158. — Bibliogr. s. 158, Streszcz., Summ.
artykuł
#21830Data dodania: 25.4.2005
Otrzymywanie i właściwości termoelektryczne ${CoSb_{3}}$ typu p i n — Preparation and thermoelectric properties of n and p type ${CoSb_{3}}$ / Krzysztof T. WOJCIECHOWSKI, Juliusz LESZCZYŃSKI // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2005 — R. 46 nr 2–3, s. 35–36. — Bibliogr. s. 36, Streszcz., Summ. — VIII Konferencja Naukowa „Technologia Elektronowa” ELTE 2004 : 8, 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska