Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Otrzymywanie i właściwości termoelektryczne ${CoSb_{3}}$ typu p i n — Preparation and thermoelectric properties of n and p type ${CoSb_{3}}$ / Krzysztof T. WOJCIECHOWSKI, Juliusz LESZCZYŃSKI // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2005 — R. 46 nr 2–3, s. 35–36. — Bibliogr. s. 36, Streszcz., Summ. — VIII Konferencja Naukowa „Technologia Elektronowa” ELTE 2004 : 8, 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska

Autorzy (2)

Słowa kluczowe

EN: thermoelectric materialsskutteruditestransport properties
PL: skuterudytywłaściwości transportowemateriały termoelektryczne

Dane bibliometryczne

ID BaDAP21830
Data dodania do BaDAP2005-04-25
Rok publikacji2005
Typ publikacjireferat w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaElektronika : Konstrukcje, Technologie, Zastosowania

Abstract

Polycrystalline p and n doped CoSb₃ materials with various contents of Sn and Te have been obtained. Structural, phase analysis and thermoelectric properties have been investigated. Optimal contents of impurities for maximum figure of merit ZT have been determined.

Streszczenie

Opisano otrzymywanie polikrystalicznych próbek CoSb₃ typu p i n domieszkowanego Sn i Te. Wykonano badania strukturalne, analizę składu oraz pomiary właściwości termoelektrycznych. Określono optymalne zawartości domieszek w celu uzyskania maksymalnej wartości współczynnika etektywności termoelektrycznej ZT.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#51932Data dodania: 25.5.2010
Otrzymywanie i właściwości ${CoSb_{3}}$ domieszkowanego Ag — Manufacturing and properties of ${CoSb_{3}}$ doped with Ag / Krzysztof WOJCIECHOWSKI, Paweł Nieroda, Janusz TOBOŁA, Rafał ZYBAŁA // Materiały Ceramiczne = Ceramic Materials / Polskie Towarzystwo Ceramiczne, Kraków ; ISSN 1644-3470. — Tytuł poprz.: Ceramika. Materiały Ogniotrwałe ; ISSN: 1505-1269. — 2010 — t. 62 nr 1, s. 60–64. — Bibliogr. s. 64, Streszcz.
artykuł
#71085Data dodania: 5.2.2013
Automatyczny pomiar pojemności złączowej półprzewodnikowego złącza p-n — Automatic measuring system for junction capacitance of semiconductor p-n junction / Ireneusz BRZOZOWSKI, Szymon Wawszczak, Piotr BRATEK, Andrzej KOS // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2012 — R. 53 nr 11, s. 97–101. — Bibliogr. s. 101, Streszcz., Summ.