Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Thermoelectric properties and electronic structure of p-type $Mg_{2}Si$ and $Mg_{2}Si_{0.6}Ge_{0.4}$ compounds doped with Ga / H. Ihou-Mouko, C. Mercier, J. TOBOŁA, G. Pont, H. Scherrer // Journal of Alloys and Compounds ; ISSN 0925-8388. — 2011 — vol. 509 iss. 23, s. 6503–6508. — Bibliogr. s. 6507–6508, Abstr.
Autorzy (5)
- Ihou-Mouko Hilaire
- Mercier C.
- AGHToboła Janusz Stefan
- Pont G.
- Scherrer H.
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 59492 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2011-05-31 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1016/j.jallcom.2011.03.081 |
| Rok publikacji | 2011 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp | |
| Czasopismo/seria | Journal of Alloys and Compounds |