Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Mg-vacancy-induced semiconducting properties in ${Mg_{2}Si_{1-x}Sb_{x}}$ from electronic structure calculations / Janusz TOBOŁA, Stanisław KAPRZYK, Hubert Scherrer // Journal of Electronic Materials ; ISSN 0361-5235. — 2010 — vol. 39 no. 9 spec. iss., s. 2064–2069. — Bibliogr. s. 2069. — ICT/ECT proceedings : the 28th international conference on Thermoelectrics ; 7th European conference on Thermoelectrics : Freiburg, Germany : July 26–30, 2009. — Zastosowano procedurę peer review

Autorzy (3)

Słowa kluczowe

vacancy defectselectronic structuremagnesium silicidethermoelectric properties

Dane bibliometryczne

ID BaDAP56085
Data dodania do BaDAP2011-01-13
Tekst źródłowyURL
DOI10.1007/s11664-009-1000-3
Rok publikacji2010
Typ publikacjireferat w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaJournal of Electronic Materials

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

fragment książki
Mg-vacancy induced semiconducting properties in $Mg{_2}Si{_1}{_-}{_x}Sb{_x}$ from electronic structure calculations / J. TOBOŁA, S. KAPRZYK, H. Scherrer // W: ICT/ECT 2009 : 28th international conference/7th European conference on Thermoelectrics : Freiburg/Germany : July 26–30 : book of abstracts / [International Thermoelectric Society]. — [Germany : s. n.], [2009]. — S. 175
Szczegóły
artykuł
Thermoelectric properties and electronic structure of Bi- and Ag-doped $Mg_{2}Si_{1-x}Ge_{x}$ compounds / K. Mars, H. Ihou-Mouko, G. Pont, J. TOBOŁA, H. Scherrer // Journal of Electronic Materials ; ISSN 0361-5235. — 2009 — vol. 38 no. 7 spec. iss., s. 1360–1364. — Bibliogr. s. 1364. — Publikacja dostępna online od: 2009-03-19. — J. Toboła - pierwsza afiliacja: Laboratoire de Physique des Matériaux Ecole des Mines, Parc de Saurupt, 54042 Nancy Cedex, France. — 27th International Conference on Thermoelectrics : August 3–7, 2008 : Corvallis, OR
Szczegóły