Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Gradientowe warstwy $a-SiN_{x}:H$ osadzane plazmochemicznie w układzie Rf CVD — Gradient $a-SiN_{x}:H$ layers plasma chemically deposited in RF CVD system / Maria JURZECKA-SZYMACHA, Stanisława KLUSKA, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2008 — R. 29 nr 6, s. 768–771. — Bibliogr. s. 771, Streszcz., Abstr. — INPO2008 : Inżynieria Powierzchni = Surface Engineering : Wisła–Jawornik, 2–5.XII.2008 / pod red. Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza, Józefa Jasińskiego. — Katowice : Wydawnictwo SIGMA-NOT, 2008
Autorzy (3)
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 42460 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2009-01-08 |
| Rok publikacji | 2008 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | IM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering |
Abstract
Layers of amorphous silicon (a-SI:H), amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) and two-layer systems (a-Si:H - a-SiNx:H) were deposited on Si (001) wafers. PE CVD technique in RF CVD solution was applied. The layers of the thickness of the order 550 - 750 nm were deposited. The synthesis was carried on for 8 minutes with application of SiH4, N2 and H2 as reactive gases. Chemical composition of the layers was determined from XPS spectra. A discussion concerning atomic structure was based on FT IR spectra measured within 400 - 4000 cm-1 range. A presence of Si-Si and terminal Si-H bonds has been confirmed for a-Si:H layers. A structure of a-SiNx:H layers is dominated by Si-N groups. The [N]/[Si] is close the stoichiometric value and equals 1,4. It is confirmed that there is no oxygen in the structure of the silikon nitride layers. It makes the layers attractive material for applications in (micro/opto)electronics and photovoltaics.
Streszczenie
Warstwy amorficznego krzemu (a-Si:H), amorficznego azotku krzemu (a-SiNx:H) oraz układy warstwowe (a-Si:H - a-SiNx:H) osadzono na podłożach Si (001) z zastosowaniem metody PE CVD, w rozwiązaniu RF CVD. W ośmiominutowym procesie syntezy uzyskano warstwy o grubościach rzędu 550÷750 nm, zależnie od typu. Jako prekursorów gazowych użyto SiH4, N2 i H2. Skład chemiczny warstw określono za pomocą spektroskopii XPS. Dyskusję odnośnie budowy atomowej otrzymanych materiałów przeprowadzono na podstawie wyników z pomiarów widma FT IR w zakresie 400÷4000 cm-1. Potwierdzono, że w strukturze warstw a-Si:H dominują wiązania Si-Si oraz terminalne wiązania Si-H. Budowa warstw a-SiNx:H zdominowana jest obecnością wiązań Si-N. Stosunek [N]/[Si] w tych warstwach jest bliski stechiometrii azotku krzemu [N]/[Si] ? 1,4. W warstwach zawierających azot nie stwierdzono obecności tlenu. Dowodzi to ich szczelności i przesądza o atrakcyjności w roli materiałów wielofunkcyjnych do zastosowań w (mikro/opto)elektronice i fotowoltaice.
