Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Niereaktywny impulsowy proces rozpylania magnetronowego — Unreactive pulsed magnetron sputtering / Witold M. Posadowski, Artur Wiatrowski, Józef Kudzia, Andrzej BRUDNIK // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2007 — R. 48 nr 10, s. 50–51. — Bibliogr. s. 51, Streszcz., Summ.

Autorzy (4)

Dane bibliometryczne

ID BaDAP36931
Data dodania do BaDAP2008-02-01
Rok publikacji2007
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaElektronika : Konstrukcje, Technologie, Zastosowania

Abstract

The medium frequency magnetron plasma characteristics have been studied at relatively high target powers. The results have been compared with continuous dc discharge parameters. Planar magnetron source operated with a Cu target (50 mm in diameter, 8 mm in thickness). Continuous direct current and medium frequency pulsed sputtering discharge was studied by means of Optical Emission Spectroscopy in the 400...410 nm wavelength range. The emission results shown to be dominated by emission from metal ions (Cu⁺ 404.3 nm) at relatively high dc target power densities. Then the self-sustained magnetron-sputtering mode was observed. The emission spectra of the pulsed discharge supplied at all range of target powers showed the relation of copper ion lines' intensity to copper neutral lines' intensity comparable with those ones obtained for dc discharge of magnetron working at high target power densities. There was no possibility to carry out self-sustained sputtering mode using pulsing discharge.

Streszczenie

Porównywano parametry wyładowania jarzeniowego podczas stałoprądowych i impulsowych procesów rozpylania przy dużych gęstościach mocy wydzielanej w targecie. Rozpylano target Cu średnicy 50 mm i grubości początkowej 8 mm. Parametry wyładowania jarzeniowego badano metodą OES w zakresie długości fal 400...410 nm. Celem badań było określenie roli jonów Cu (404,3 nm) podczas procesu rozpylania magnetronowego. Przy zasilaniu stałoprądowym magnetronu, wraz ze zwiększaniem mocy targetu, obserwowano wzrost relacji Cu⁺/Cu*. Dla wartości Cu⁺/Cu*≥ 0,85 możliwe było prowadzenie procesu tzw. autorozpylania. Podczas rozpylania impulsowego stosunek Cu⁺/Cu* osiągał wartość porównywalną z obserwowaną w procesie rozpylania stałoprądowego dużej mocy. Mimo obecności zjawiska autorozpylania, niemożliwe było otrzymywanie warstw metodą impulsowego autorozpylania.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#57018Data dodania: 15.2.2011
Metody kontroli procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego — [Monitoring of reactive magnetron sputtering] / Andrzej BRUDNIK, Halina CZTERNASTEK, Mieczysław JACHIMOWSKI // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 1995 — nr 9, s. 16–17. — Bibliogr. s. 17
artykuł
#48611Data dodania: 24.11.2009
Modyfikacje powierzchni stopu tytanu metodą rozpylania magnetronowego — Surface modification of a titanium alloy using magnetron sputtering / Elżbieta GODLEWSKA, Ryszard MANIA, Marzena MITORAJ, Natalia Pawlak // Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania (Warszawa) ; ISSN 0033-2089. — Tytuł poprz.: Przegląd Elektroniki. — 2009 — R. 50 nr 9, s. 59–60. — Bibliogr. s. 60, Streszcz., Summ.