Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Leaky integrate-and-fire model and short-term synaptic plasticity emulated in a novel bismuth-based diffusive memristor / Piotr Zawal, Gisya ABDI, Marlena Gryl, Dip Das, Andrzej SŁAWEK, Emilie A. Gerouville, Marianna MARCISZKO-WIĄCKOWSKA, Mateusz MARZEC, Grzegorz Hess, Dimitra G. Georgiadou, Konrad SZACIŁOWSKI // Advanced Electronic Materials [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2199-160X. — 2024 — vol. 10 iss. 7 art. no. 2300865, s. 1–14. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. 13–14, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2024-05-01

Autorzy (11)

Słowa kluczowe

synaptic plasticitybismuth iodideresistive switchingneuromorphic computingdiffusive memristor

Dane bibliometryczne

ID BaDAP154576
Data dodania do BaDAP2024-07-23
Tekst źródłowyURL
DOI10.1002/aelm.202300865
Rok publikacji2024
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Creative Commons
Czasopismo/seriaAdvanced Electronic Materials

Abstract

Memristors, being prospective work-horses of future electronics offer various types of memory (volatile and nonvolatile) along with specific computational functionalities. Further development of memristive technologies depends on the availability of suitable materials. These materials should be easily available, stable, and preferably of low toxicity. Commonly used materials are lead halide perovskites, however, they are highly toxic and unstable under ambient conditions. Therefore a novel material is developed on the basis of bismuth iodide. In reaction with butylammonium iodide, it yields a novel compound, butylammonium iodobismuthate (BABI). Here, a diffusive memristor is introduced based on this compound and evaluates its memristive and neuromorphic properties. In contrast to nonvolatile memristors, the BABI memristors exhibit diffusive dynamics, which enable them to store the information only for short periods of time. This property is utilized to mimic the short-term synaptic plasticity described by the leaky integrate-and-fire model of a biological neuron. Combined with high switching uniformity and self-rectifying behavior, these devices show high classification accuracy for MNIST handwritten datasets, paving the way for their application in neuromorphic computing systems.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#155274Data dodania: 14.9.2024
Memristors based on Ni(II)-tetraaza[14]annulene complexes: toward an unconventional resistive switching mechanism / Andrzej SŁAWEK, Lulu ALLUHAIBI, Ewelina KOWALEWSKA, Gisya ABDI, Tomasz MAZUR, Agnieszka PODBORSKA, Krzysztof MECH, Marianna MARCISZKO-WIĄCKOWSKA, Alexey Maximenko, Konrad SZACIŁOWSKI // Advanced Electronic Materials [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2199-160X. — 2024 — vol. 10 iss. 12 art. no. 2300818, s. 1–17. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. 16–17, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2024-05-27. — L. Alluhaibi - dod. afiliacja: National Synchrotron Radiation Centre SOLARIS, Jagiellonian University, Kraków
artykuł
#159058Data dodania: 24.4.2025
Memristor-based adaptive leaky integrate-and-fire neuron model: a simulation study — Oparty na memrystorze model neuronu adaptive leaky integrate-and-fire: badania symulacyjne / Karol BEDNARZ, Bartłomiej GARDA // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2025 — R. 101 nr 3, s. 20-23. — Bibliogr. s. 23, Abstr., Streszcz.