Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Memristive devices in three-phase systems — Elementy memrystorowe w układach trójfazowych / Piotr ZEGARMISTRZ, Bartłomiej GARDA // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2020 — R. 96 nr 1, s. 11–14. — Bibliogr. s. 14, Abstr., Streszcz.

Autorzy (2)

Słowa kluczowe

EN: non linear systemsthree phase systemsmemristive elementmemristormemristive device
PL: memrystorobwody nielinioweelement memrystorowyukłady trójfazowe

Dane bibliometryczne

ID BaDAP127102
Data dodania do BaDAP2020-01-31
Tekst źródłowyURL
DOI10.15199/48.2020.01.03
Rok publikacji2020
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Creative Commons
Czasopismo/seriaPrzegląd Elektrotechniczny

Abstract

The aim of the research presented in a paper was to provide trustworthy simulation results for symmetrical three-phase systems with memristive load. The memristors in the system are combined with linear resistors in order to limit the current in the element. Linear drift model of the memristor was considered in Matlab simulations. It is based on Strukov model with Biolek window. High nonlinearity of memristor results in deformation of most of the signals in the system. Since the voltage of the neutral point is highly non-sinusoidal it affects on other signals like phase voltage, phase currents, delta voltages. A Fast Fourier Transform (FFT) is applied to chosen signals in order to provide a frequency spectrum. On this basis a Total Harmonic Distortion (THD) parameter was calculated.

Streszczenie

W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych nad układem trójfazowym symetrycznym z obciążeniem elementami memrystorowymi. Memrystory w obwodzie odbiornika są połączone szeregowo z rezystorami liniowymi w celu ograniczenia prądu. W obliczeniach symulacyjnych przyjęto model memrystora "linear drift", bazujący na modelu Strukova z oknem Biolka. Wysoka nieliniowość elementów memrystorowych skutkuje odkształceniem większości sygnałów w obwodzie. Skoro napięcie punktu neutralnego odbiornika wykazuje wysoką nieliniowość, to skutkuje to odkształceniem pozostałych sygnałów, t.j. napięć fazowych, prądów fazowych czy napięć przewodowych. Do wybranych sygnałów zastosowano Szybką Transformatę Fouriera (FTT) w celu zaprezentowania widma częstotliwościowego. Na tej podstawie obliczono Współczynnik Zawartości Harmonicznych.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#159057Data dodania: 24.4.2025
Testing the SDC memristors in three phase systems — Pomiary memrystorów w układach trójfazowych / Bartłomiej GARDA, Karol BEDNARZ // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2025 — R. 101 nr 2, s. 52-55. — Bibliogr. s. 55, Abstr., Streszcz.
artykuł
#127099Data dodania: 31.1.2020
Study of forming process in memristive devices using rectangular waves — Formowanie elementów memrystorowych napięciowymi sygnałami prostokątnymi / Piotr ZEGARMISTRZ, Zbigniew GALIAS // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2020 — R. 96 nr 1, s. 15–18. — Bibliogr. s. 18, Abstr., Streszcz.