Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Study of forming process in memristive devices using rectangular waves — Formowanie elementów memrystorowych napięciowymi sygnałami prostokątnymi / Piotr ZEGARMISTRZ, Zbigniew GALIAS // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2020 — R. 96 nr 1, s. 15–18. — Bibliogr. s. 18, Abstr., Streszcz.
Autorzy (2)
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 127099 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2020-01-31 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.15199/48.2020.01.04 |
| Rok publikacji | 2020 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Creative Commons | |
| Czasopismo/seria | Przegląd Elektrotechniczny |
Streszczenie
W pracy opisano wyniki badań nad procesem formowania memrystorów, tzn. programowaniem poziomu rezystancji chwilowej elementu oraz stabilnością uzyskanej wartości. W części pomiarowej wykorzystano dwa rodzaje elementów memrystorowych z grupy BS-AF. Celem badań było określenie warunków niezbędnych do zmiany rezystancji memrystora podczas wzbudzania napięciami o różnych poziomach, czasie trwania i polaryzacji. W szczególności poszukiwano wartości progowej napięcia zasilającego potrzebnej do modyfikacji stanu memrystora. Wartość taka definiuje poziom napięcia, poniżej którego możliwy jest pomiar wartości chwilowej memrystancji (operacja odczytu danych), bez zmiany opisywanej wartości. Uzyskane wyniki wskazują, ze wartość ta zależy od polaryzacji przyłożonego napięcia. Badane memrystory są znacznie bardziej czułe na napięcie ujemne. Oznacza to, że znacząco niższy poziom napięcia jest potrzebny, aby przełączyć memrystor ze stanu niskiej do wysokiej rezystancji niż odwrotnie. Zaobserwowano również, że ostateczna wartość rezystancji chwilowej memrystora zależy od liczby i poziomu impulsów napięciowych. Eksperyment ten potwierdza, iż memrystory typu BS-AF mogą uzyskiwać więcej niż dwa poziomy rezystancji chwilowej w stabilny sposób, co może być kluczowe dla wykorzystania ich w strukturach pamięci lub systemach neuromorficznych.
Abstract
This work focuses on the study of behavior of memristors during the process of forming, i.e., setting the resistance of the element and testing the stability of the resistance. Two types of BS-AF memristive elements are selected for laboratory experiments. The goal of the research is to investigate the conditions under which the resistance of the element is changed when voltages of different levels, duration and polarization are applied. In particular, we are interested in finding the threshold voltage value which is needed to modify of state of the element. Such a value defines the voltage level below which one can safely measure instantaneous value of memristor's resistance (data read operation) without changing this value. The results obtained show that the threshold value depends on the polarization of the applied voltage. Memristors under study are much more sensitive to applying a negative voltage. This means, that a significantly smaller value of the voltage is needed to switch from low to high resistance level than to switch from high to low resistance level. It has also been observed that the final value of the memristor's resistance depends on the number and level of applied voltage impulses. This study confirms that BS-AF memristors can operate in more than two states in a stable way, which can be beneficial when using memristors in memory structures or for neuromorphic applications.
