Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Influence of the $SiN_{x}:H$ layer deposited by PECVD technique on the surface and grain boundary passivation of mc-Si / S. KLUSKA, P. Panek // W: IMAPS Poland 2015 [Dokument elektroniczny] : 39th International Microelectronics and Packaging conference : Gdańsk, 20–23 September, 2015. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Gdańsk : s. n.], [2015]. — Dysk Flash. — S. [1–9]. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. [8–9], Abstr.

Autorzy (2)

Słowa kluczowe

hydrogenated silicon nitridePECVDpassivation effectmulti-crystalline siliconmc-Si

Dane bibliometryczne

ID BaDAP95291
Data dodania do BaDAP2016-02-03
Rok publikacji2015
Typ publikacjimateriały konferencyjne (aut.)
Otwarty dostęptak
Konferencja39th International Microelectronics and Packaging

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#101518Data dodania: 22.11.2016
Influence of the SiNx:H layer deposited by PECVD technique on the surface and grain boundary passivation of mc-Si / Stanisława KLUSKA, Piotr Panek // Microelectronics International ; ISSN 1356-5362. — 2016 — vol. 33 iss. 3, s. 162–166. — Bibliogr. s. 165–166, Abstr. — 39th International-Microelectronics-and-Packaging-Society Poland International Conference (IMAPS Poland)
SzczegółyLink
fragment książki
#95296Data dodania: 3.2.2016
The impact of the rear Al contact metallisation process on solar cells parameters / Piotr Panek, Barbara SWATOWSKA // W: IMAPS Poland 2015 [Dokument elektroniczny] : 39th International Microelectronics and Packaging conference : Gdańsk, 20–23 September, 2015. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [Gdańsk : s. n.], [2015]. — Dysk Flash. — S. [1–6]. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. [5–6], Abstr.
SzczegółyLink