Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Synteza kompozytowych warstw $Al_{2}O_{3}-C/Al_{2}O_{3}$ metodą MOCVD — Synthesis of $Al_{2}O_{3}-C/Al_{2}O_{3}$ layers by the MOCVD method / Agata SAWKA, Andrzej KWATERA // Materiały Ceramiczne = Ceramic Materials / Polskie Towarzystwo Ceramiczne, Kraków ; ISSN 1644-3470. — Tytuł poprz.: Ceramika. Materiały Ogniotrwałe ; ISSN: 1505-1269. — 2013 — t. 65 nr 2, s. 198–203. — Bibliogr. s. 203, Streszcz.
Autorzy (2)
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 79689 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2014-02-18 |
| Tekst źródłowy | URL |
| Rok publikacji | 2013 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Materiały Ceramiczne |
Streszczenie
Warstwy Al2O3–C/Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapour Deposition) z acetyloacetonianu glinu w zakresie temperatur 700‒1050 °C na podłożach ze szkła kwarcowego. Warstwy syntezowano w dwóch etapach. Pierwszy etap obejmował syntezę cienkich warstw Al2O3–C o grubości ok. 0,07 µm. Gazem nośnym był argon. W drugim etapie, do reaktora CVD wprowadzano powietrze, by umożliwić syntezę warstwy Al2O3 bez węgla na warstwie Al2O3 zawierającej węgiel. Warstwa nie zawierająca węgla była znacznie grubsza (ok. 4 µm) niż zawierająca węgiel. Część warstw kompozytowych syntezowanych w 800 °C wygrzewano w atmosferze argonu lub powietrza w zakresie temperatur 900‒1050 °C. Na wybranych próbkach wykonano badania SEM i XRD.
Abstract
Al2O3-C/Al2O3 layers were synthesized on quartz glass substrates by the MOCVD method at temperatures of 700‒1050 oC, using aluminium acetyloacetonate as a precursor. The layers were deposited at two stages. First stage comprised the synthesis of a thin Al2O3-C layer of 0.07 µm in thickness. Argon was used as a carrier gas. Next stage covered deposition of Al2O3 without carbon. The process was running in air and argon. The Al2O3 layer with no carbon was significantly thicker (about 4 µm) than the layer with carbon. The part of the obtained layers was additionally annealed in the temperature range of 900‒1050 °C. Selected samples were tested by SEM and XRD.
