Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Electrode band structure effects in thin MgO magnetic tunnel junctions / J. M. Teixeira, J. Ventura, M. P. Fernández-García, J. P. Araujo, J. B. Sousa, P. WIŚNIOWSKI, P. P. Freitas // Applied Physics Letters ; ISSN 0003-6951. — 2012 — vol. 100 iss. 7, s. 072406-1–072406-3. — Bibliogr. s. 072406-3, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2012-02-15. — P. Wiśniowski – dod. afiliacja: INESC-MN and IN-Institute of Nanoscience of Nanotechnology
Autorzy (7)
- Teixeira José Miguel
- Ventura João Oliveira
- Fernández-García M. P.
- Araujo João Pedro
- Sousa João Bessa
- AGHWiśniowski Piotr
- Freitas Paulo P.
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 65232 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2012-04-13 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1063/1.3687200 |
| Rok publikacji | 2012 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Applied Physics Letters |
Abstract
In this study, we demonstrate that, beyond the standard magnon excitations, the electronic band structure of the electrodes plays a significant role on the low bias voltage window (0 < jVj < 0.4 V) of the tunnel magnetoresistance (TMR) in thin MgO-CoFeB junctions. The tunneling conductance in the parallel state presents a minimum at about 60.35 and 60.3 V for the negative and positive bias, respectively. The presence of this minimum indicates a related decrease in the TMR(V). These observations are explained by the electronic band structures of bcc-Fe and Co.
