Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Kinetyka wzrostu warstw $a-C:N:H$ w układzie RF CVD — The kinetics of $a-C:N:H$ layers growth in RF CVD system / Anna Kaczmarczyk, Karol KYZIOŁ, Katarzyna TKACZ-ŚMIECH, Stanisława JONAS // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2008 — R. 29 nr 6, s. 745–748. — Bibliogr. s. 748, Streszcz., Abstr. — INPO2008 : Inżynieria Powierzchni = Surface Engineering : Wisła–Jawornik, 2–5.XII.2008 / pod red. Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza, Józefa Jasińskiego. — Katowice : Wydawnictwo SIGMA-NOT, 2008
Autorzy (4)
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 42455 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2009-01-08 |
| Rok publikacji | 2008 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | IM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering |
Abstract
The a-C:N:H layers may be formed with application of non-conventional synthesis, mostly in plasma chemical conditions (PA CVD - Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition). Many attractive mechanical, tribiological features are characteristic of them, including good biocompatibility. Rother quality (of them) is that one can form their properties through appropriate selection of deposition process so that they may be used in many branches of technology. In this work the results are presented concerning the details of RF CVD processing applied in the deposition of amorphous a-C:N:H layers on (001) Si-substrate. A special attention is paid to research of the kinetics of a-C:N:H layers. The layer thickness, morphology and atomic structure of the samples are carefully analysed. The results are showed, that the growth rate does not change linearly with time. The kinetic of this process can be approximate by Avrami-Jerofiejew's equation. These investigations enabled delimitation of three stages of layers growth: initial, middle and final stage.
Streszczenie
Warstwy a-C:N:H mogą być otrzymywane z zastosowaniem niekonwencjonalnych metod syntezy, zwykle w warunkach plazmochemicznych (PA CVD - Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition). Materiały te cechują się między innymi atrakcyjnymi właściwościami mechanicznymi, tribologicznymi i biozgodnością. Ich budowa i właściwości mogą być kształtowane poprzez odpowiedni dobór parametrów procesu osadzania, co sprawia, że mogą znaleźć zastosowanie w wielu gałęziach techniki. W pracy przedstawiono wyniki badań warstw otrzymanych na podłożach (001) Si za pomocą metody RF CVD. Szczególną uwagę zwrócono na kinetykę ich wzrostu. Dokładnej analizie poddano ich grubość, morfologię i strukturę w skali atomowej. Rezultaty badań pokazują, że szybkość wzrostu warstw zmienia się nieliniowo w funkcji czasu osadzania. Kinetyka tego procesu może być opisana przez równanie Avrami-Jerofiejewa. Przedyskutowanie wyników tych badań pozwoliło na wyznaczenie trzech etapów wzrostu warstw a-C:N:H: początkowego, środkowego i końcowego.
