Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Magnetic-field-induced binding of few-electron systems in shallow quantum dots / B. SZAFRAN, S. BEDNAREK, F. M. Peeters // Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics ; ISSN 1098-0121. — Tytuł poprz.: Physical Review B : Condensed Matter. — 2006 — vol. 74 iss. 11, s. 115310-1–115310-5. — Bibliogr. s. 115310-4–115310-5. — Publikacja dostępna online od: 2006-09-15

Autorzy (3)

Dane bibliometryczne

ID BaDAP31271
Data dodania do BaDAP2007-02-06
Tekst źródłowyURL
DOI10.1103/PhysRevB.74.115310
Rok publikacji2006
Typ publikacjiartykuł w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaPhysical Review, B

Abstract

Binding of few-electron systems in two-dimensional potential cavities in the presence of an external magnetic field is studied with the exact diagonalization approach. We demonstrate that the magnetic field leads to the formation of bound few-electron states which are unbound in the absence of the field. The critical value of the depth of the cavity allowing the formation of a bound state decreases with the magnetic field in a nonsmooth fashion due to the increasing angular momentum of the first bound state. In the high-magnetic-field limit the binding energies and the critical values for the depth of the potential cavity, allowing the formation of a bound system, tend to the classical values.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#6884Data dodania: 10.11.2001
Few-electron systems in quantum cylinders / B. SZAFRAN, J. ADAMOWSKI, S. BEDNAREK // Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics ; ISSN 1098-0121. — Tytuł poprz.: Physical Review B : Condensed Matter. — 2000 — vol. 61 iss. 3, s. 1971–1977. — Bibliogr. s. 1976–1977
artykuł
#13973Data dodania: 26.9.2003
Magnetic-field-induced transformations of Wigner molecule symmetry in quantum dots / B. SZAFRAN, S. BEDNAREK, J. ADAMOWSKI // Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics ; ISSN 1098-0121. — Tytuł poprz.: Physical Review B : Condensed Matter. — 2003 — vol. 67 no. 4, s. 045311-1–045311-4. — Bibliogr. s. 045311-4, Abstr.