Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Struktura geometryczna powierzchni warstw $SiC$ otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD — Morphology of $SiC$ layers deposited by ECRCVD and MWCVD / Krzysztof DUL, Stanisława JONAS // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2005 — R. 26 nr 5, s. 271–273. — Bibliogr. s. 273, Streszcz., Abstr. — Błędny zapis imienia Autorki: Stanisław. — „Obróbka powierzchniowa'2005” = “Surface treatment'2005” : VI ogólnopolska konferencja naukowa : Częstochowa–Kule, 20–23 września 2005 / pod red.: Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza, Józefa Jasińskiego ; Polskie Towarzystwo Materiałoznawcze. — Warszawa : Wydawnictwo Czasopism i Książek Technicznych SIGMA-NOT Spółka z o. o., 2005. — Na okł. dodatkowo tyt.: 55 lat Wydziału Inżynierii Procesowej, Materiałowej i Fizyki Stosowanej Politechniki Częstochowskiej. — Opis częśc. wg okł.
Autorzy (2)
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 25023 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2005-12-16 |
| Rok publikacji | 2005 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | IM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering |
Streszczenie
Celem niniejszej pracy było określenie wpływu parametrów procesu MWCVD (Microwave Chemical Vapour Deposition) i ECRCVD (Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition) na strukturę geometryczną powierzchni warstw SiC osadzanych na (001)Si. Warstwy otrzymano z reaktywnych mieszanin gazowych SiH4, CH4, H2 w zakresie temperatur 600-800°C. Charakterystykę morfologii powierzchni w skali mikro i nano wykonano przy użyciu metod SEM i AFM. Do opisu struktury geometrycznej użyto parametrów amplitudowych, przestrzennych i hybrydowych. Wykazano, ze opis powierzchni geometrycznej za pomocą parametru Ra dla otrzymanych warstw jest niewystarczający.
Abstract
The purpose of this article is to report the influence of the process parameters in the surface morphology of SiC layers. The layers deposited on Si(100) by Microwave Chemical Vapour Deposition (MWCVD) and Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition (ECRCVD) using SiH4, CH4 H2 at substrate temperature 600-800°C. The nanostructure and microstructure were examined ex-situ using the atomic force microscopy (AFM) and the scanning electron microscopy (SEM). The nanostructure was described three-dimensional surface roughness analysis which gives a tool to quantify different aspects of surface features. It was shown that parameter Ra isn't sufficient for characterizing surface roughness.
