Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Texture modifications in copper doped ceria thin films by pulsed laser deposition technique — Zmiany tekstury cienkich warstw $CeO_{2}$ domieszkowanych miedzią wytworzonych techniką ablacji laserowej / Magdalena CHMIELOWSKA, Agnieszka KOPIA, Jan KUSIŃSKI, Christine Leroux, Jean Raymond Gavarri // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2004 — R. 25 nr 3, s. 561–563. — Bibliogr. s. 563, Abstr., Streszcz. — AMT'2004 : Advanced Materials & Technologies : XVII physical metallurgy and materials science conference : 20th–24th June 2004, Łódź, Poland
Autorzy (5)
- AGHKlimczak-Chmielowska Magdalena
- AGHKopia Agnieszka
- AGHKusiński Jan
- Leroux Christine
- Gavarri Jean Raymond
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 17255 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2004-09-09 |
| Rok publikacji | 2004 |
| Typ publikacji | referat w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | IM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering |
Abstract
CeO2 thin films doped with copper were elaborated by Pulsed Laser Deposition on Si (001) substrates, with variable deposition times and atomic fractions of Cu. The thin films were characterized by means of X-ray diffraction analysis, scanning, transmission and high-resolution electron microscopy, EDS microanalysis and. As deposition time or Cu content increase, the CuOx-CeO2 thin films showed texture modifications of ceria grains, with (111) grain orientations changing into (200) orientations. Chemical analysis showed that copper content in thin films was congruent with target compositions. However, no significant proportion of crystallized copper phase was evidenced. This can be correlated with the influence of copper phases on crystal growth of ceria during deposition process.
Streszczenie
Omówiono zmiany tekstury cienkich warstw CeO2 domieszkowanych miedzią, wytworzonych techniką ablacji laserowej na podłożu Si (001) przy różnym czasie ekspozycji i różnej zawartości procentowej miedzi. Wytworzone warstwy poddano badaniom na dyfraktometrze rentgenowskim, skaningowym i transmisyjnym mikroskopie elektronowym wyposażonym w analizator EDS. Wyniki dyfrakcyjnej analizy fazowej wykazały obecność w warstwie fazy CeO2 i brak linii od faz Cu lub CuOx, ponadto silne steksturowanie wytworzonych warstw wraz ze wzrostem udziału procentowego miedzi i czasu ekspozycji, o czym świadczy zmiana orientacji krystalograficznej z (111) na (200). Wyniki dyfrakcji elektronowej i jej rozwiązanie pozwala stwierdzić, iż w warstwach domieszkowana miedź występuje w postaci CuO i CuO2.
