Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Wpływ parametrów procesowych ALD na formowanie się warstw $Al_{2}O_{3}$, $ZrO_{2}$ oraz ich układów mieszanych i nanolaminatowych : [streszczenie] — [The influence of ALD process parameters on the formation of $Al_{2}O_{3}$, $ZrO_{2}$ layers and their mixed and nanolaminate systems : abstract] / Marcin Ostrowski, Anna Drabczyk, Kamil Kosiel, Piotr Polak, Justyna Maleszyk, Barbara SWATOWSKA, Robert P. Socha // W: [III] Kongres Energetyki Rozproszonej KER 2025 : KNER 2025 : III Konferencja Naukowa Energetyki Rozproszonej : Kraków, 17 IX 25 : materiały konferencyjne / Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie. — [Kraków : Wydawnictwo nwh], [2025]. — ISBN: 978-83-943772-5-0. — S. 94–95. — Bibliogr. s. 95, Streszcz., Abstr.
Autorzy (7)
- Ostrowski Marcin
- Drabczyk Anna
- Kosiel Kamil
- Polak Piotr
- Maleszyk Justyna
- AGHSwatowska Barbara
- Socha Robert P.
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 163257 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2025-10-09 |
| Rok publikacji | 2025 |
| Typ publikacji | materiały konferencyjne (aut.) |
| Otwarty dostęp |  |
Streszczenie
W pracy przedstawiono wpływ parametrów procesu osadzania warstw atomowych (ALD) na skład, grubość i morfologię różnych warstw tlenkowych – zarówno jednoskładnikowych (Al₂O₃, ZrO₂), jak i mieszanych (Al₂O₃–ZrO₂). Szczególną uwagę poświęcono czasowi przepłukiwania po cyklu Al₂O₃ oraz jego wpływowi na skład warstw. Wykazano, że odpowiednia modyfikacja warunków procesu umożliwia precyzyjne sterowanie właściwościami osadzanych materiałów, co ma znaczenie przy projektowaniu funkcjonalnych struktur dla zastosowań w mikro- i optoelektronice.
Abstract
This study investigates the influence of atomic layer deposition (ALD) process parameters on the composition, thickness and morphology of various oxide layers — including both single-component (Al₂O₃, ZrO₂) and mixed (Al₂O₃–ZrO₂) films. Particular attention was paid to the purge time after the Al₂O₃ cycle and its impact on the resulting layer composition. The results demonstrate that appropriate tuning of process conditions allows for precise control over film properties, which is essential for the design of functional structures in micro- and optoelectronic applications.
