Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Characterization of Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSD) for high energy physics applications / F. ZAREEF, A. OBŁĄKOWSKA-MUCHA, T. SZUMLAK, N. Moffat, A. Docheva, N. Cooke, D. Maneuski, R. Bates, M. Bullough // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment ; ISSN 0168-9002. — 2024 — vol. 1061 art. no. 169085, s. 1–2. — Bibliogr. s. 2, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2024-01-11
Autorzy (9)
- AGHZareef Fasih
- AGHObłąkowska-Mucha Agnieszka
- AGHSzumlak Tomasz
- Moffat Neil
- Docheva Aleksandrina
- Cooke Naomi
- Maneuski Dima
- Bates Richard
- Bullough Mark
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 152365 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2024-04-17 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1016/j.nima.2024.169085 |
| Rok publikacji | 2024 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Nuclear Instruments & Methods in Physics Research, Section A, Accelerators Spectrometers, Detectors and Associated Equipment |
Abstract
Ultra-fast silicon detectors (UFSD) are a specialized type of radiation detectors based on Low Gain Avalanche Detectors (LGADs) that are designed to have extremely fast response times. This work presents detailed results on the study of 50μm thin-LGADs with different doping concentrations produced by Micron Semiconductors Ltd. A temperature dependent study of electrical characteristics and infrared laser measurements are presented in this work. © 2024 Elsevier B.V.