Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Resonant step-down DC-DC converter based on GaN power integrated circuits and SiC diodes — Przekształtnik rezonansowy DC-DC obniżający napięcie z tranzystorami GaN w układach scalonych i diodami SiC / Robert STALA, Szymon FOLMER, Andrzej MONDZIK // W: SENE 2023 [Dokument elektroniczny] : Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym : XVI konferencja naukowa : Łódź, 22–24 listopada 2023. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — Łódź : Politechnika Łódzka, 2023. — Dysk Flash. — e-ISBN: 978-83-66741-94-2. — S. [1–4]. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. [3–4], Abstr.
Autorzy (3)
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 151074 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2024-01-18 |
| DOI | 10.15199/48.2016 |
| Rok publikacji | 2023 |
| Typ publikacji | materiały konferencyjne (aut.) |
| Otwarty dostęp |  |
| Wydawca | Politechnika Łódzka |
Abstract
The paper presents a DC-DC resonant converter with a switched capacitor topology, equipped with GaN transistors and SiC diodes. The proposed system operates at high frequency with low switching losses and is demonstrated in implementation without electrolytic capacitors. GaN transistors integrated in one package with dedicated gate drivers were used to simplify drivers circuitry and increase the power density factor of the proposed device. The article presents waveforms captured in the power circuit at ZVS operation, as well as efficiency characteristics and voltage gaincurve of the converter vs. its output power.