Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Sposób otrzymywania kompozytu wysokoogniotrwałego z węglika boru i związku międzymetalicznego z układu $Ti-Si$ — [Method for obtaining a high refractory composite from boron carbide and intermetallic compound of the $Ti-Si$ system] / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie ; wynalazca: KOZIEŃ Dawid, PĘDZICH Zbigniew, CHLUBNY Leszek. — Int.Cl.: C04B 35/58(2006.01). — Polska. — Opis zgłoszeniowy wynalazku ; PL437232A1 ; Opubl. 2022-09-12. — Zgłosz. nr P.437232 z dn. 2021-03-08 // Biuletyn Urzędu Patentowego. — 2022 — nr 37, s. 15
Autorzy (3)
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 144625 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2023-01-13 |
| Tekst źródłowy | URL |
| Rok publikacji | 2022 |
| Typ publikacji | zgłoszenie patentowe |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Biuletyn Urzędu Patentowego |
Streszczenie
Wynalazek dotyczy sposobu otrzymywania kompozytu wysokoogniotrwałego z węglika boru i związku międzymetalicznego z układu Ti-Si, przeznaczonego na elementy turbin gazowych, elementy silników rakietowych i elementy konstrukcyjne pojazdów latających, eksploatowane w wysokich temperaturach. Kompozyt ten należy do grupy ultrawysokotemperaturowych materiałów ceramicznych (UHTC). Sposób polega na tym, że do proszku węglika boru B4C dodaje się krzemek tytanu Ti5Si3 oraz węgiel C, w stosunku molowym B4C:Ti5Si3:C wynoszącym 5:2:1. Następnie całość miesza się w środowisku alkoholu izopropylowego przez 20 - 60 minut i suszy do całkowitego odparowania alkoholu przez 20 - 120 minut, po czym wstępnie formuje się kształtki i poddaje je prasowaniu izostatycznemu pod ciśnieniem 100 - 200 MPa. Uzyskane wypraski poddaje się procesowi spiekania swobodnego w atmosferze argonu, w temperaturze 1650 - 1750°C, z przyrostem temperatury wynoszącym 2 - 10°C/minutę oraz czasem przetrzymania w temperaturze maksymalnej wynoszącym 5 - 30 minut, uzyskując kompozyt TiB2-TiC-SiC-Ti5Si3, składający się wagowo z 70,0 – 75,0% TiB2, 0,5 – 2,5% TiC, 20,0 - 27,5% SiC oraz 0,2 -1,0% Ti5Si3. Wydajność procesu wynosi co najmniej 99%.
