Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Modification of semiconducting copper oxide thin films using ion implantation — Modyfikacja cienkich warstw tlenków półprzewodzących za pomocą implantacji jonowej / Katarzyna UNGEHEUER, Konstanty W. MARSZAŁEK, Marzena Mitura-Nowak, Zbigniew KĄKOL // Przegląd Elektrotechniczny / Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; ISSN 0033-2097. — 2022 — R. 98 nr 9, s. 255–258. — Bibliogr. s. 258, Abstr., Streszcz.
Autorzy (4)
- AGHUngeheuer Katarzyna
- AGHMarszałek Konstanty
- Mitura-Nowak Marzena
- AGHKąkol Zbigniew
Słowa kluczowe
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 141697 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2022-09-05 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.15199/48.2022.09.60 |
| Rok publikacji | 2022 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Creative Commons | |
| Czasopismo/seria | Przegląd Elektrotechniczny |
Streszczenie
W artykule opisana została metoda implantacji jonami Cr+ o energii 10 keV i 15 keV, która może być stosowana do modyfikacji cienkich warstw półprzewodnikowych. Wykonano symulacje procesu implantacji z wykorzystaniem programu Stopping and Range of Ions in Matter uwzględniając różne energie wiązki jonów. Przedstawiono schematy aparatury implantatora oraz układu do rozpylania magnetronowego cienkich warstw. Optyczne i strukturalne właściwości nieimplantowanych i zaimplantowanych warstw Cu4O3 i CuO zostały zbadane.
Abstract
The article describes method of Cr+ ion implantation with energy of 10 keV and 15 keV. This method can be used to modify thin film semiconductors. Simulations of implantation process were performed using the Stopping and Range of Ions in Matter software, taking into account different energies of the ion beam. The apparatus diagrams of ion implantation and magnetron sputtering processes are presented. Optical and structural properties of non-implanted and implanted Cu4O3 and CuO films were studied.