Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Nanostructured $LaFeO_{3}/Si$ thin films grown by pulsed laser deposition / Mateusz JĘDRUSIK, Christian Turquat, Łukasz CIENIEK, Agnieszka KOPIA, Christine Leroux // European Physical Journal ; ISSN 1286-0042. Applied Physics ; ISSN 1286-0042. — 2021 — vol. 96 no. 3 art. no. 30301, s. 30301-1–30301-9. — Bibliogr. s. 30301-8–30301-9, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2021-12-14. — M. Jędrusik - pierwsza afiliacja: Université de Toulon, France
Autorzy (5)
- AGHJędrusik Mateusz
- Turquat Christian
- AGHCieniek Łukasz
- AGHKopia Agnieszka
- Leroux Christine
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 138294 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2021-12-16 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1051/epjap/2021210195 |
| Rok publikacji | 2021 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Creative Commons | |
| Czasopismo/seria | European Physical Journal, Applied Physics |
Abstract
The orthorhombic LaFeO3 thin films grown by pulsed laser deposition on silicon showed nano-structuration of their surface and preferential crystallographic exposed facets, depending on the deposition temperature. The LaFeO3 film deposited at 850 °C has two types of grain termination, flat or tip-like, corresponding to two different growth directions, respectively [110] and [200]. However, due to the shape of the termination, the two types of grains expose the same {110} facets. The prepared lanthanum iron oxide films are iron deficient and consequently contains oxygen vacancies, the exact chemical formula being LaFe0.82O3-δ.
