Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
Effective Landé factors for an electrostatically defined quantum point contact in silicene / Bartłomiej RZESZOTARSKI, Alina MREŃCA-KOLASIŃSKA, François M. Peeters, Bartłomiej SZAFRAN // Scientific Reports [Dokument elektroniczny]. — Czasopismo elektroniczne ; ISSN 2045-2322. — 2021 — vol. 11 iss. 1 art. no. 19892, s. 1–10. — Wymagania systemowe: Adobe Reader. — Bibliogr. s. 8–9, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2021-10-06. — A. Mreńca-Kolasińska - dod. afiliacja: Department of Physics, National Cheng Kung University, Taiwan
Autorzy (4)
- AGHRzeszotarski Bartłomiej
- AGHMreńca-Kolasińska Alina
- Peeters François Maria
- AGHSzafran Bartłomiej
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 137334 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2021-10-29 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1038/s41598-021-99074-6 |
| Rok publikacji | 2021 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Creative Commons | |
| Czasopismo/seria | Scientific Reports |
Abstract
The transconductance and effective Lande g* factors for a quantum point contact defined in silicene by the electric field of a split gate is investigated. The strong spin-orbit coupling in buckled silicene reduces the g* factor for in-plane magnetic field from the nominal value 2 to around 1.2 for the first-to 0.45 for the third conduction subband. However, for perpendicular magnetic field we observe an enhancement of g* factors for the first subband to 5.8 in nanoribbon with zigzag and to 2.5 with armchair edge. The main contribution to the Zeeman splitting comes from the intrinsic spin-orbit coupling defined by the Kane-Mele form of interaction.