Szczegóły publikacji
Opis bibliograficzny
High frequency voltage-induced ferromagnetic resonance in magnetic tunnel junctions / Witold SKOWROŃSKI, Stanisław ŁAZARSKI, Jakub Mojsiejuk, Jakub CHĘCIŃSKI, Marek FRANKOWSKI, Takayuki Nozaki, Kay Yakushiji, Shinji Yuasa // Applied Physics Letters ; ISSN 0003-6951. — 2019 — vol. 115 iss. 7 art. no. 072401, s. 072401-1–072401-4. — Bibliogr. s. 072401-4, Abstr. — Publikacja dostępna online od: 2019-08-13
Autorzy (8)
- AGHSkowroński Witold
- AGHŁazarski Stanisław Marek
- AGHMojsiejuk Jakub
- AGHChęciński Jakub
- AGHFrankowski Marek
- Nozaki Takayuki
- Yakushiji Kay
- Yuasa Shinji
Dane bibliometryczne
| ID BaDAP | 123583 |
|---|---|
| Data dodania do BaDAP | 2020-01-07 |
| Tekst źródłowy | URL |
| DOI | 10.1063/1.5113681 |
| Rok publikacji | 2019 |
| Typ publikacji | artykuł w czasopiśmie |
| Otwarty dostęp |  |
| Czasopismo/seria | Applied Physics Letters |
Abstract
Voltage-induced ferromagnetic resonance (V-FMR) in magnetic tunnel junctions (MTJs) with a W buffer is investigated. Perpendicular magnetic anisotropy (PMA) energy is controlled by both the thickness of a CoFeB free layer deposited directly on the W buffer and a post-annealing process at different temperatures. The PMA energy and the magnetization damping are determined by analyzing field-dependent FMR signals in different field geometries. An optimized MTJ structure enabled the excitation of V-FMR at frequencies exceeding 30 GHz. The macrospin modeling is used to analyze the field- and angular-dependence of the V-FMR signal and to support experimental magnetization damping extraction. © 2019 Author(s).
