Szczegóły publikacji

Opis bibliograficzny

Warstwy tlenku glinu na węglikach spiekanych otrzymywane metodą MOCVD — Alumina layers synthesized by the MOCVD method on cemented carbides / SAWKA Agata, KWATERA Andrzej, JUDA Wiesław, RAKOWSKI Wiesław // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2002 — R. 23 nr 5, s. 387–389. — Bibliogr. s. 389, Streszcz., Abstr. — Obróbka powierzchniowa'2002 = Surface treatment'2002 : V ogólnopolska konferencja naukowa = V Polish scientific conference : Częstochowa Kule, 18–20 wrzesień 2002 / pod red. Leopolda Jeziorskiego, Zygmunta Nitkiewicza ; Politechnika Częstochowska. Instytut Inżynierii Materiałowej. — Warszawa : Wydawnictwo Czasopism i Książek Technicznych, 2002

Autorzy (4)

Dane bibliometryczne

ID BaDAP10463
Data dodania do BaDAP2002-10-18
Rok publikacji2002
Typ publikacjireferat w czasopiśmie
Otwarty dostęptak
Czasopismo/seriaIM Inżynieria Materiałowa = Materials Engineering

Streszczenie

Warstwy Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) z użyciem acetyloacetonianu glinu, czystego argonu (99,999% obj.) oraz powietrza. Warstwy te osadzano bezpośrednio na powierzchniach węglików spiekanych bez pośredniej warstwy TiC w zakresie temperatur 800-1000 stopni Celsjusza. Czas ich syntezy wynosił 15-120 min. Niektóre z otrzymanych warstw w 800 stopniach Celsjusza dodatkowo wygrzewano w temperaturze 850-1000 stopni Celsjusza. Warstwy poddano badaniom na mikroskopie skaningowym współpracującym z mikroanalizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS). Wykonano również analizę rentgenowską, a także przeprowadzono pomiary mikrotwardości oraz badania na przyczepność warstw do podłoża.

Abstract

Alumina layers were synthesized by the MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) method using aluminium acetylacetonate (Al(O2C5H7)3), pure argon (99,999% vol.) and air. Layers were deposited on cemented carbides with no intermediate layer of TiC in the temperature range of 800-1000 degrees centigrade. The time of their synthesis was 15-120 min. Some layers synthesized at 800 degrees centigrade were additionally annealed at 850-1000 degrees centigrade. The obtained layers were examined by scanning electron microscopy with EDS attachement. The phase composition of the layers was also investigated by X-ray analysis. The microhardness of the coats and their adhesion to the substrate were also measured.

Publikacje, które mogą Cię zainteresować

artykuł
#55033Data dodania: 27.11.2010
Warstwy $Al_{2}O_{3}$ na narzędziach skrawających z węglików spiekanych otrzymywane metodą MOCVD — $Al_{2}O_{3}$ layers on cemented carbide cutting tools obtained by MOCVD method / Agata SAWKA, Andrzej KWATERA, Wiesław JUDA // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2010 — R. 31 nr 4, s. 1210–1212. — Bibliogr. s. 1212
artykuł
#62066Data dodania: 11.11.2011
Synteza drobnoziarnistych warstw tlenku glinu metodą MOCVD — Synthesis of fine-grained aluminium oxide layers by MOCVD method / Agata SAWKA, Andrzej KWATERA // Inżynieria Materiałowa ; ISSN 0208-6247. — 2011 — R. 32 nr 4, s. 715–718. — Bibliogr. s. 718, Streszcz., Abstr.