1. Strona główna/
  2. Lista autorów/
  3. Skowroński Witold/
  4. Habilitacja

Skowroński Witold, dr hab. inż., prof. AGH

WIEiT-ke Instytut Elektroniki

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne
50
50
nauki fizyczne
skowron@agh.edu.pl
Habilitacja
Elementy elektroniki spinowej dla zastosowań w pamięciach MRAM, sensorach magnetycznych i urządzeniach mikrofalowych
Wydział:
AGH Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
Dziedzina:
nauki inżynieryjno-techniczne
Data uchwały Rady Wydziału:
11.07.2019
Stopień naukowy:
dr hab. nauk inżynieryjno-technicznych
Dyscyplina:
automatyka, elektronika i elektrotechnika
Słowa kluczowe:
elektronika spinowa; magnetorezystywna pamięć RAM; pamięć MRAM; MRAM; sensory magnetyczne; urządzenia mikrofalowe
Uwagi:
Rozprawę habilitacyjną stanowi cykl 11 publikacji: [1] Skowroński W., [et al.] (2012). Magnetic field sensor with voltage-tunable sensing properties. Applied Physics Letters vol. 101 iss. 19, s. 192401-1–192401-3 ; [2] Skowroński W., [et al.] (2012). Backhopping effect in magnetic tunnel junctions: comparison between theory and experiment. Journal of Applied Physics vol. 114 iss. 23, s. 233905-1–233905-6 ; [3] Skowroński W., [et al.] (2014). Spin-torque diode radio-frequency detector with voltage tuned resonance. Applied Physics Letters vol. 105 iss. 7 art. no. 072409, s. 072409-1–072409-4 ; [4] Skowroński W., [et al.] (2015). Magnetic field sensor based on magnetic tunnel junction with voltage-tunable magnetic anisotropy. Acta Physica Polonica. A vol. 127 no. 2, s. 496-498 ; [5] Skowroński W., [et al.] (2015). Perpendicular magnetic anisotropy of Ir/CoFeB/MgO trilayer system tuned by electric fields. Applied Physics Express vol. 8 no. 5, s. 053003-1–053003-4 ; [6] Skowroński W., [et al.] (2015). Underlayer material influence on electric-field controlled perpendicular magnetic anisotropy in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics vol. 91 iss. 18, s. 184410-1–184410-6 ; [7] Nozaki T., [et al.] (2016). Large voltage-induced changes in the perpendicular magnetic anisotropy of an MgO-based tunnel junction with an ultrathin Fe layer. Physical Review Applied vol. 5 iss. 4 art. no. 044006, s. 044006-1–044006-10 ; [8] Skowroński W., [et al.] (2016). Microwave detection based on magnetoresistance effect in spintronic devices. W: MRW 2016, Microwave and Radar Week ; MIKON 2016, 21st international conference on Microwave, Radar and Wireless Communications ; IRS 2016, 17th International Radar Symposium, Krakow, Poland, 9-12 May 2016. Eds. A. Rydosz, A. Kurowska, J. Misiurewicz. [USA]: IEEE, s. [1-3] ; [9] Skowroński W., [et al.] (2016). Temperature dependence of spin-orbit torques in W/CoFeB bilayers. Applied Physics Letters vol. 109 iss. 6, s. 062407-1–062407-4 ; [10] Skowroński W., [et al.] (2017). Understanding stability diagram of perpendicular magnetic tunnel junctions. Scientific Reports nr 7 art. no. 10172, s. 1-6 ; [11] Skowroński W., [et al.] (2018). Influence of a composite free layer structure on thermal stability of perpendicular magnetic tunnel junction. Journal of Applied Physics vol. 124 iss. 6, s. 063903-1–063903-5.