1. Strona główna/
  2. Lista autorów/
  3. Mitura Zbigniew/
  4. Habilitacja

Mitura Zbigniew, dr hab. inż., prof. AGH

WIMiIP-kism Katedra Informatyki Stosowanej i Modelowania

Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej

inżynieria materiałowa
100
0
mitura@agh.edu.pl
Habilitacja
Analiza wzrostu warstw arsenku galu i germanu przy pomocy metody RHEED
Wydział:
AGH Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej
Data uchwały Rady Wydziału:
30.01.2017
Stopień naukowy:
dr hab. nauk technicznych
Dyscyplina:
inżynieria materiałowa
Słowa kluczowe:
arsenek galu; german; metoda RHEED
Uwagi:
Pracę habilitacyjną stanowi cykl 8 publikacji: [1] Mitura Z., Dudarev S.L., Whelan M.J. (1998). Phase of RHEED oscillations. Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), vol. 57, s. 6309-6312 ; [2] Mitura Z., Dudarev S.L., Whelan M.J. (1998). Theoretical analysis of RHEED intensities for growing surfaces. Surface Review and Letters, vol. 5, s. 701-709 ; [3] Mitura Z. (2013). Computer investigations of features of RHEED oscillations for GaAs and for Ge. W: Proceedings of 22nd Conference of Applied Crystallography, eds. Stróż D., Dercz G.: Targanice, Poland, vol. 203-204, p. 347-350 ; [4] Mitura Z. (2013). Computer studies on reflection high-energy electron diffraction from the growing surface of Ge(001). Journal of Applied Crystalography, vol. 46, s. 1024-1030 ; [5] Mitura Z. (2014). Calculations of parameters of RHEED oscillations using different models of the scattering potential. Journal of Crystal Growth, vol. 401, s. 364-366 ; [6] Mitura Z. (2015). Theoretical analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and reflection high-energy positron diffraction (RHEPD) intensity oscillations expected for the perfect layer-by-layer growth. Acta Crystallographica Section A (Foundations and Advances), vol. 71, s. 513-518 ; [7] Mitura Z., Dudarev S.L. (2015). Algorithms for determining the phase of RHEED oscillations. Journal of Applied Crystallography, vol. 48, s. 1927-1934 ; [8] Computations od RHEEDintensities for growing of GaAs. Computer Methods in Materials Science, vol. 15, s. 447-458.