1. Strona główna/
  2. Lista autorów/
  3. Drygaś Mariusz/
  4. Habilitacja

Drygaś Mariusz, dr hab. inż., prof. AGH

WEiP-ktp Katedra Technologii Paliw

Wydział Energetyki i Paliw

madrygas@agh.edu.pl
Habilitacja
Badania nad wykorzystaniem oryginalnych układów prekursorowych dla nowych technologii otrzymywania nanomateriałów o określonych cechach fizykochemicznych i zróżnicowanych formach materiałowych, opartych na azotku galu GaN
Wydział:
AGH Wydział Energetyki i Paliw
Dziedzina:
nauki techniczne
Data uchwały Rady Wydziału:
25.09.2018
Stopień naukowy:
dr hab. nauk technicznych
Dyscyplina:
technologia chemiczna
Słowa kluczowe:
nanomateriały; azotek galu; GaN
Uwagi:
Rozprawę habilitacyjną stanowi cykl 12 publikacji i 2 patentów: [1] Drygaś M., [et al.] (2008). Probing the structural/electronic diversity and thermal stability of various nanocrystalline powders of gallium nitride GaN. Chemistry of Materials vol. 20 no. 21, s. 6816-6828 ; [2] Drygaś M., Janik J. F. (2012). Modeling porosity of high surface area nanopowders of the gallium nitride GaN semiconductor. Materials Chemistry and Physics vol. 133 iss. 2–3, s. 932-940 ; [3] Drygaś M., Janik J. F., Czepirski L. (2013). Adsorption properties of nanocrystalline/nanoporous gallium nitride powders. Current Nanoscience vol. 9 no. 3, s. 318-323 ; [4] Drygaś M., Bućko M., Janik J. F. (2013). Nitridation of bulk monocrystalline and powdered microcrystalline gallium arsenide towards cubic gallium nitride nanopowders. Current Nanoscience vol. 9 no. 2, s. 173-182 ; [5] Drygaś M. [et al.] (2016). Ammonolysis of polycrystalline and amorphized gallium arsenide GaAs to polytype-specific nanopowders of gallium nitride GaN. RSC Advances vol. 6 iss. 47, s. 41074-41086 ; [6] Drygaś M., [et al.] (2015). Ammonolysis of gallium phosphide GaP to the nanocrystalline wide bandgap semiconductor gallium nitride GaN. RSC Advances vol. 5 iss. 128, s. 106128-106140 ; [7] Drygaś M., [et al.] (2015). Ammonolytical conversion of microcrystalline gallium antimonide GaSb to nanocrystalline gallium nitride GaN: thermodynamics vs. topochemistry. RSC Advancesvol. 5 iss. 100, s. 82576-82586 ; [8] Janik J. F., Drygaś M., Bućko M. (2016). Sposób wytwarzania nanokrystalicznych proszków azotku galu GaN. PL 223872 B1 ; [9] Drygaś M., [et al.] (2016). Convenient synthesis of nanocrystalline powders of phase-pure manganese nitride ?-Mn3N2. Journal of Materials Science vol. 51, iss. 17, s. 8177-8186 ; [10] Drygaś M., [et al.] (2016). Tuning the bimetallic amide-imide precursor system to make paramagnetic GaMnN nanopowders. Materials Chemistry and Physics vol. 180, s. 173-183 ; [11] Drygaś M., [et al.] (2015). Structural and magnetic properties of GaN/Mn nanopowders prepared by an anaerobic synthesis route. RSC Advances vol. 5 iss. 47, s. 37298-37313 ; [12] Musiał M., [et al.] (2017). Nanopowders of gallium nitride GaN surface functionalized with manganese. Journal of Materials Science vol. 52 iss. 1, s. 145-161 ; [13] Janik F. J., [et al.] (2012). Sposób wytwarzania spieków azotku galu GaN. PL 210651 B1 ; [14] Drygaś M., [et al] (2016). Structural and magnetic properties of ceramics prepared by high-pressure high-temperature sintering of manganese-doped gallium nitride nanopowders. Journal of the European Ceramic Society vol. 36 iss. 4, s. 1033-1044 .